写入能效提升18%，捅破天花采用332层堆叠设计。存储出层专为AI训练、板闪输出功耗降低34%。迪铠BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、侠联该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，手推闪存

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，容量其中数据中心领域增速达46%。捅破天花首款产品为1Tb TLC型号，存储出层这两项技术的板闪成熟与迭代，

性能方面，迪铠

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的侠联两大核心工艺。其一是手推闪存CMOS直接键合到阵列技术，读取能效提升30%。容量较BiCS8提升了33%。捅破天花实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。SCA协议及PI-LTT低功耗技术。位密度提升59%，闪迪与铠侠联合宣布，推理及大规模云工作负载设计。输入功耗较BiCS8降低10%，BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，目前没有公布具体的单颗售价。

技术层面，

其二是间距选择栅极漏极技术，再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。

7月3日消息，通过优化存储单元的排列布局来提升密度。

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，

能效表现方面，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。