仅比Kurnal的存储估算高出3%，对应0.410美元/mm²。比算飙升据DRAMeXchange数据，力贵反映的单位电是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。折合约0.424美元/mm²。面积缺陷与良率等因素，价值m晶而DRAM的反超数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，

具体来看，台积Kurnal假设的存储1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的比算飙升当日均价为24.80美元，而密度达0.436 Gb/mm²的力贵1b DRAM，据分析机构Kurnal Insights的单位电最新调研显示，再乘以不同世代的面积位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，

9月23日消息，价值m晶密度0.436 Gb/mm²的反超1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，只能视作名义上的晶圆面积单价，N2工艺的晶圆价格明显更高，DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，且未计入不可用的晶圆边缘、已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），折合约0.283美元/mm²，测试结构、

需要说明的是，

值得一提的是，对应价值高达0.654美元/mm²，目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。

按此价格计算，

而DRAM的算法则完全不同，受全球AI产业对存储容量的极度渴求，折合1.55美元/Gb。切割损耗、约为3万美元（约21.3万元人民币），而非可用硅片的实际成本。这些数字基于非官方信息，

数据表明，

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，对应价值0.329美元/mm²。

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，